Свищёв Иван Алексеевич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа. Технический результат - упрощение технологии изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур, а также обеспечение значительного коэффициента усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити п...

Изобретение относится к высоковольтным фоточувствительным приборам проксимити типа. Технический результат - обеспечение электрической прочности и повышение пробивного напряжения прибора без существенного увеличения габаритов корпуса. Высоковольтный фоточувствительный прибор проксимити типа состоит из вакуумного герметичного корпуса, входного окна с фотокатодом и приближенного к нему анода, с и...

Использование: для изготовления фотокатодов, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Сущность изобретения заключается в том, что на подложку наносят слой нещелочного металла, очувствляют его как минимум одним щелочным металлом, после этого, с целью увеличения квантового выхода, последовательно напыляют и очувствляют не менее 20 слоев нещелочного металла до прекращения роста м...

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для крепления деталей внутри вакуумного корпуса, например, для крепления полупроводниковых структур фотокатодов на подложке к входному окну прибора. Технический результат - уменьшение дефектов, возникающих при сочленении, а так же расширение спектра используемых материалов. Способ...

Изобретение относится к гибридным фоточувствительным приборам, предназначенным для регистрации излучения малой интенсивности. Технический результат - обеспечение функции стробирования гибридного фоточувствительного прибора при больших напряжениях. Технический результат достигается за счет того, что высоковольтный гибридный фоточувствительный прибор для регистрации излучений малой интенсивности сод...