PatentDB.ru — поиск по патентным документам

НАКАМУРА Юки (JP)

Изобретатель НАКАМУРА Юки (JP) является автором следующих патентов:

Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора

Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного...

2546725

Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система

Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система

Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе. Оксид р-типа является аморфным соединением и представлен следующей композиционной формулой: xAO∙yCu2O, где x обозначает долю молей AO и y обозначает долю молей Cu2O, x и y удовлетворяют следующим условиям: 0≤x<100 и x...

2556102

Четырехтактный двигатель и использующая его рабочая машина

Четырехтактный двигатель и использующая его рабочая машина

Изобретение может быть использовано в двигателях внутреннего сгорания. Четырехтактный двигатель (1) содержит корпус двигателя, включающий секцию блока (2) цилиндра, в которой создан цилиндр, секцию головки (4) цилиндра, расположенную выше секции блока (2) цилиндра, секцию картера (6) двигателя, расположенную ниже секции блока (2) цилиндра, коленчатый вал (8), топливный бак (16), масляный резерву...

2560648

Полевой транзистор, элемент отображения, устройство отображения изображений и система

Полевой транзистор, элемент отображения, устройство отображения изображений и система

Изобретение относится к полевому транзистору и устройству отображения изображений. Полевой транзистор включает в себя основу, пассивирующий слой, изолирующий слой затвора, сформированный между ними, электрод истока и электрод стока, которые формируются находящимися в контакте с изолирующим слоем затвора, слой полупроводника, который сформирован между по меньшей мере электродом истока и электродом...

2630708

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом...

2631405


Оксидный полупроводник р-типа, композиция для получения оксидного полупроводника р-типа, способ получения оксидного полупроводника р-типа, полупроводниковый компонент, отображающий элемент, устройство отображения изображений и система

Оксидный полупроводник р-типа, композиция для получения оксидного полупроводника р-типа, способ получения оксидного полупроводника р-типа, полупроводниковый компонент, отображающий элемент, устройство отображения изображений и система

Изобретение относится к оксидному полупроводнику p-типа, композиции для получения оксидного полупроводника p-типа, способу получения оксидного полупроводника p-типа, полупроводниковому компоненту, отображающему элементу, устройству отображения изображений и системе отображения информации об изображении. Оксидный полупроводник p-типа содержит оксид металла, содержащий таллий (Tl), где оксид металла...

2660407