ХАЯСИ Тецуя (JP)

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. В полупроводниковом устройстве анодная область 106 сформирована в нижнем участке канавки 105, в которой сформирован электрод 108 затвора, или в дрейфовой области 102 непосредственно под канавкой 105. Контактное окно 110 сформировано в канавке 105 на глубине, обеспечивающей достижение анодной области 106. Электрод 112 истока встраивается в ко...