Егоров Антон Юрьевич (RU)

Светодиод белого свечения согласно изобретению содержит слой полупроводника n-типа, сформированный из полупроводникового твердого раствора GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>у>0.004), гетероструктуру с собственным типом проводимости, сформированную из слоев полупроводниковых твердых растворов GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004), сформированную поверх слоя полупроводника n-...

Изобретение относится к физике полупроводниковых структур. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs заключается в том, что соединяют параллельно активные модули, каждый из которых представляет собой меза-структуру упомянутой слабосвязанной сверхрешетки с шириной барьеров >4 нм, и смещают...