Осипов Олег Валерьевич (RU)

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы. Светоизлучающий диод содержит эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа...

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к светоизлучающим модулям, используемым в осветительных приборах. Техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемого изобретения, является обеспечение высоких теплоотводящих свойств светоизлучающего модуля. Технический результат достигается за счет того, что в светоизлучающем модуле, включающем группу электрически соедине...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах. Светодиодный чип включает полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при эт...