КЛИПП Андреас (DE)

Изобретение относится к способу изготовления электрических устройств, содержащему стадии: 1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки, 2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя, 3) подвергание слоя ре...

Изобретение относится к композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащей: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас. % композиции; амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и присутствует в количестве от 1 до 4 мас. % композиции; органический растворитель А выбран из группы, сос...

Настоящее изобретение относится к водной щелочной очищающей композиции, свободной от органических растворителей и силикатов, свободных от ионов металлов, причем указанная композиция содержит: (A) от 0,1 до 20 мас. % L-цистеина, (B) от 0,1 до 20 мас. % по меньшей мере одного гидроксид четвертичного аммония, (C) от 0,05 до 15 мас. % по меньшей мере одного хелатирующего и/или ингибирующего коррозию...

Описано применение поверхностно-активных веществ A, 1 мас.% водный раствор которых имеет статическое поверхностное натяжение <25 мН/м. Указанные поверхностно-активные вещества A содержат три короткоцепочечные перфторированные группы Rf, выбранные из группы, состоящей из трифторметила, пентафторэтила, 1-гептафторпропила, 2-гептафторпропила, гептафторизопропила и пентафторсульфанила, для произв...

Использование: для получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств, включает стадии: получения подложки, имеющей слои структурированного материала, имеющие строчный интервал 50 нм и менее и хар...