Булгаков О.М. (RU)

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в биполярном ВЧ- и СВЧ-транзисторе балластные резисторы с более высокими сопротивлениями характеризуются более высокими температурными коэффициентами сопротивления (ТКС). Это приводит к большему относительному изменению сопротивления резисторов с повышенным сопротивлением при изменении температуры транзисторных структур...

 Использование: полупроводниковая электроника. Техническим результатом изобретения является повышение надежности транзисторной структуры за счет повышения ее устойчивости к изменению термического равновесия в пределах активных областей структуры вследствие отклонения характеристик режима усиления от штатных значений, например при рассогласовании оконечного каскада усилителя мощности с нагр...

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в ВЧ и СВЧ биполярной транзисторной структуре в балластном резисторе с некоторым законом распределения сопротивления по ширине имеются фрагменты с температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), отличным от ТКС резистора. Фрагменты распределены таким образом, что относительное изменение сопротивления с изменением темпе...

 Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является повышение отношения выходной мощности к площади полупроводниковой структуры с неравномерным распределением протяженности ее активной области в направлении, перпендикулярном продольной оси структуры. Сущность изобретения: изменение общей ширины активной области мощной полупроводниковой структуры ос...

Использование: в полупроводниковой электронике, в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная СВЧ транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника....

Использование: в полупроводниковой электронике в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе, содержащем основание с электродами и полупроводниковую подложку с транзисторными ячейками, каждая из которых включает в себя область коллектора, области эмиттера и базы, контактирующие каждая со своей расположенной на поверхности подложки металлизиров...