Евтушенко Г.С. (RU)

 Изобретение относится к квантовой электронике. В способе в качестве газообразной добавки выбирают легкоионизуемое вещество, атомы которого имеют потенциал ионизации Jд, меньший потенциала ионизации атомов рабочего металла Jм, причем его концентрация составляет от 0,05 до 0,15% концентрации атомов рабочего металла. Активный элемент лазера содержит вакуумно-плотную оболочку, снабженную двум...

 Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке лазеров на парах металлов и их соединений для целей медицины, микроэлектронных технологий, навигации, научных исследований, зондирования атмосферы. Активный элемент содержит вакуумно-плотный корпус с выходными окнами на торцах, внутри которого коаксиально размещена трубка из бериллиевой керамики, ограни...

 Использование: для использования в лазерах на парах галогенидов металлов. Сущность: заключается в том, что активный элемент лазера на парах галогенида металла содержит вакуумно-плотную оболочку, снабженную, по крайней мере, двумя электродами на ее концах, ловушками отработанного рабочего вещества и периодично расположенными по всей длине рабочего канала контейнерами, заполненными рабочим...