ХАО Уян (US)
Изобретатель ХАО Уян (US) является автором следующих патентов:
Формирование необратимого состояния в одноразрядной ячейке, имеющей первый магнитный туннельный переход и второй магнитный туннельный переход
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП...
2553087