Афанасьев Андрей Владимирович (RU)

Изобретение относится к способам лазерного наноструктурирования поверхности. Способ включает в себя формирование ближнепольной маски на поверхности диэлектрической подложки и облучение полученной структуры импульсом фемтосекундного лазера. Излучение лазера предварительно пропускают через нелинейно-оптический кристалл с коэффициентом преобразования во вторую гармонику, равным 5÷7%. Облучение диэл...