Плотникова Александра Юрьевна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым электронным приборам. В полупроводниковом диоде на полупроводниковой GaAs подложке расположены катодный слой, обедненный слой, барьерный слой, обедненный узкозонный слой, анодный узкозоный слой, анодный слой. Металлизированный катодный контакт с омическим сопротивлением сформирован к катодному слою. Металлизированный анодный контакт с омическим сопротивл...

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для вычисления логических функций в самосинхронных программируемых логических интегральных схемах. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности индицирования завершения переходного процесса для использования устройства в самосинхронных схемах с парафазными переменными и нулевы...

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в отказоустойчивых, радиационно-стойких программируемых логических интегральных схемах (ПЛИС) для вычисления логических функций. Техническим результатом является повышение отказоустойчивости. Устройство содержит группу n инверторов переменных, n групп, n - число входных переменных, основных передающих транзисторов по 2i, i=...