Мишустин В.Г. (RU)

 Использование: в электронной технике и микроэлектронике для формирования омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др. на основе аморфного гидрогенизированного кремния, далее а-Si:Н, или других гидрогенизированных неупорядоченных полупроводников. Сущность изобретения: при создании омического контакта из техпро...