Красюков А.Ю. (RU)

 Использование: в полупроводниковой силовой электронике, при конструировании полупроводниковых приборов - униполярных транзисторов с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором. Сущность изобретения: в планарном силовом МОП-транзисторе в стоковой диффузионной области создается область с барьером Шоттки с площадью значительно меньшей, по крайней мере в 10 раз, относительно площади...