Тихонов Р.Д. (RU)

 Использование: в полупроводниковой силовой электронике, при конструировании полупроводниковых приборов - униполярных транзисторов с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором. Сущность изобретения: в планарном силовом МОП-транзисторе в стоковой диффузионной области создается область с барьером Шоттки с площадью значительно меньшей, по крайней мере в 10 раз, относительно площади...

 Изобретение относится к получению расплава из горных пород, бытовых и промышленных стеклоотходов. Особенностью способа является принцип конвективного ударно-струйного нагрева шихты при температуре 1700250С и скорости соударения факела с шихтой 30...250 м/с; формирование на керамической скатной подине жаровых пятен, на которые тонким слоем или в виде кусковой россыпи шихта загружается, а т...

 Использование: в полупроводниковой силовой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение сопротивления открытого транзистора, уменьшение входной емкости, увеличение пробивного напряжения стока планарного силового МОП транзистора, повышение воспроизводимости параметров прибора. Сущность изобретения: между истоковой диффузионной областью и подзатворной областью сформи...

 Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат: уменьшение зависимости чувствительности биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в кармане, от состояния поверхности прибора. Сущность: в биполярном магниточувствите...

 Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение емкости, повышение быстродействия и повышение фоточувствительности. Сущность изобретения: в кремниевом латеральном фотодетекторе с лавинным умножением выбирается отношение площадей элементов структуры pn-перехода и зазора между pn-переходом и контактом к подложке. Область объемного заря...

Использование: полупроводниковая электронная техника. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе с периодическим расположением в кремниевой подложке элементов с инжекционной электронно-дырочной плазмой элементы связаны между собой электрическими полями и носителями тока. В структуре полупроводникового прибора активные элементы содержат периодическую структуру электронно-дырочной плазмы, пер...