Рабинович Ксения Сергеевна (RU)
Изобретатель Рабинович Ксения Сергеевна (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения сверхпроводящего материала на основе bi-2223 с критической температурой перехода 197 к
Изобретение относится к созданию новых высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалов и позволяет получить материал, обладающий сверхпроводимостью при температуре 197 К. Данное изобретение может найти широкое применение в области энергетики в качестве энергосберегающих материалов, в частности является наиболее подходящей основой для создания ВТСП кабелей. Образец номинального состава Bi-2...
2568463