PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Рабинович Ксения Сергеевна (RU)

Изобретатель Рабинович Ксения Сергеевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения сверхпроводящего материала на основе bi-2223 с критической температурой перехода 197 к

Способ получения сверхпроводящего материала на основе bi-2223 с критической температурой перехода 197 к

Изобретение относится к созданию новых высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалов и позволяет получить материал, обладающий сверхпроводимостью при температуре 197 К. Данное изобретение может найти широкое применение в области энергетики в качестве энергосберегающих материалов, в частности является наиболее подходящей основой для создания ВТСП кабелей. Образец номинального состава Bi-2...

2568463