Гревцев Михаил Александрович (RU)
Изобретатель Гревцев Михаил Александрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения полупроводникового материала на основе моносульфида самария
Изобретение относится к технологии синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано при массовом производстве тензочувствительных материалов на основе сульфида самария (SmS). Для синтеза материала состава Sm1+xS, где 0≤x≤0,17, берут в измельченном виде Sm2S3 и Sm в мольном соотношении (1+3x):1. Взятые вещества перемешивают и брикетируют. Затем выдерживают при температуре твердофазн...
2569523
Способ изготовления термоэлектрического генератора
Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам на основе полупроводниковых структур. Сущность: способ изготовления термоэлектрического генератора включает выкалывание из слитка сульфида самария SmS плоскопараллельной пластины (3), нанесение самария (2) на поверхность первого плоского токового контакта (1), выполненного из тугоплавкого металла, наложение на самарий (2) плоскопараллельной пл...
2628677