PatentDB.ru — поиск по патентным документам

САЙТО Дзюн (JP)

Изобретатель САЙТО Дзюн (JP) является автором следующих патентов:

Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления

Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) включает эмиттерную область, верхнюю область подложки, которая формируется ниже эмиттерной области, плавающую область, которая формируется ниже верхней области подложки, нижнюю область подложки, которая формируется ниже плавающей области, канал, изолирующую пленку затвора, которая покрывает внутреннюю поверхность канала, и электрод затвора, к...

2571175