КАМБУ Бертран (US)
Изобретатель КАМБУ Бертран (US) является автором следующих патентов:
![Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1efa07fe5d64061bff5dacae42a0181f.jpg)
Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти
Использование: для использования в качестве троичной ассоциативной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM) включает в себя первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика, имеющим свободную намагниченность, и первым слоем твердого ферромагнетика, имеющим первую намагниченность хранения; второй туннельный барь...
2572464