СУЗА Рикардо (FR)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокого туннельного магнитосопротивления, равного или большего 150%. Способ для изготовления магнитного туннельного перехода, записываемого спин-поляризованным током, и содержащего туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем, имеющим первую намагниченность с фиксированной ориентацией,...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении пониженного тока поля. Способ для записи в ячейку оперативной памяти (MRAM) с использованием термической операции записи, содержащую магнитный туннельный переход, образованный из слоя запоминания, обладающего намагниченностью запоминания; опорного слоя, обладающего опорной намагниченностью, и туннельн...