Горлов М.И. (RU)

 Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для разделения партии на три, имеющих различную надежность, с выделением партии ИС повышенной надежности, с высоким уровнем достоверности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях производителях радиоэлектронной аппаратуры....

 Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов. Сущность способа заключается в том, что измерение интенсивности шумов в эксплуатационном режиме проводится до, после воздействия электростатического разряда (ЭСР) и после термического отжига. Воздействие ЭСР проводится на 20-30 процентов превышающим величину допус...

 Использование: обеспечение качества и надежности партий полупроводниковых приборов за счет определения потенциально нестабильных приборов как на этапе производства, так и применения. Сущность: на представительной выборке полупроводниковых приборов одного типа проводят измерение шума до и после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) допустимого по техническим условиям потенциала. За...

 Использование: обеспечение качества и надежности партий транзисторов за счет определения потенциальных ненадежных приборов, как на этапе производства, так и применения. Сущность: на представительной выборке транзисторов одного типа проводят измерения шума переходов эмиттер-база и коллектор-база на постоянном токе. По разности значений интенсивности шумов переходов Э-Б и К-Б судят о надежн...

 Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых изделий электронной техники, а именно к способам отбраковки внутренних микросоединений полупроводниковых приборов. Сущность изобретений: в способе отбраковки микросоединений полупроводниковых изделий на микросоединения воздействуют струей сжатого воздуха, при обдуве воздухом полупроводниковое изделие подключено к прибору ав...

 Способ предназначен для разбраковки партии биполярных транзисторов по стабильности обратных токов (токов утечки) как на этапе производства, так и на этапе их применения. Проводят контроль начального значения обратного тока. Затем проводят испытание транзистора тремя циклами электростатических разрядов. Измеряют значение обратного тока после воздействия электростатического разряда. Проводя...

Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает определение партий с пониженным процентом выхода годных изделий после проведения каждой из контрольных операций. При этом проводят выявление доминирующего вида брака у изделий данной партии, определяют объем дополнительных отбраковочных испытаний и проводят 100-процентные дополнительные отбраковочные испытания. После проведения дополнительн...

Использование: изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность: способ отбраковки ненадежных маломощных транзисторов, вклю...

Использование: для определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов. Сущность заключается в том, что на партии полупроводниковых приборов, в которой необходимо определить, а затем отделить потенциально нестабильные приборы, проводят измерение интенсивности шума при нормальной и повышенной температуре, затем воздействуют импульсами ЭСР допустимой по ТУ величины, проводят температурн...

Использование: изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов и может быть использовано для их разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения: проводится измерение низкочастотного шума полупроводниковых приборов при двух значениях...

Использование: в микроэлектронике на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность изобретения: в способе определения потенциально нестабильных транзисторов, после предварительных результатов испытаний для каждого типа транзисторов проводят испытания на стабильность в постоянном режиме измерения коэффициента усиления...

Использование: в микроэлектронике, в области испытаний и контроля полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на испытуемой выборке полупроводниковых приборов измеряют шум-фактор на значениях тока до 1 мА, строят ампер-шумовые характеристики для максимальных и минимальных значений, определяют значение тока, при котором разброс ампер-шумовых характеристик наибольший, подсчитывают среднее знач...

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к автоматическому контролю цифровых интегральных схем. Технический результат - повышение достоверности процесса диагностики цифровых интегральных схем. Для достижения данного результата измеряют основные динамические характеристики и параметры цифровых интегральных схем при пониженном и номинальном напряжении питания. На основе полученных рез...

Проводят измерение интенсивности шума полупроводникового прибора при нормальных условиях. Затем воздействуют 5-10 импульсами электростатического разряда обоих полярностей. Величину потенциала электростатического разряда выбирают равной допустимой по техническим условиям величине. Производят изотермический отжиг при максимально допустимой по техническим условиям температуре кристалла в течение 4-6...

Изобретение относится к области радиоизмерений. Технический результат изобретения: расширение функциональных возможностей способа при сохранении точности. Сущность: в предлагаемом устройстве блоки задания режимов связаны с блоком управления и с входами ключевых элементов, общий выход которых подключен к одному из входов измерительной схемы, другой вход которой соединен с выходом дополнительного бл...

Использование: в микроэлектронике для диагностического контроля и отбраковки интегральных схем на этапе серийного производства, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность изобретения: способ включает охлаждение интегральной схемы с непрерывным контролем влагочувствительного электрического параметра, т.е. параметра, зависящего от состояния поверхности кристалла схемы, на...