Кобякова М.Ш. (RU)

 Изобретение относится к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным лазерам и лазерным диодным линейкам. Предложенный лазер включает гетероструктуру с волноводными слоями, в одном из ограничительных слоев которой расположены рельефные структуры, по крайней мере часть мезаполоски и пассивные области с основаниями вблизи границы ограничительного слоя, ближайшей к активной област...