Шишкин В.А. (RU)

 Изобретение относится к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным лазерам и лазерным диодным линейкам. Предложенный лазер включает гетероструктуру с волноводными слоями, в одном из ограничительных слоев которой расположены рельефные структуры, по крайней мере часть мезаполоски и пассивные области с основаниями вблизи границы ограничительного слоя, ближайшей к активной област...

 Инжекционные лазеры используются в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования, а также для накачки твердотельных и волоконных усилителей и лазеров. Предложен инжекционный лазер, содержащий двухъярусную мезаполоску, расположенную в ограничительном слое со стороны р-типа гетероструктуры, состоящем и...