Шарапов Александр Николаевич (RU)
Изобретатель Шарапов Александр Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки, включает измерение вольт-амперных...
2585963
Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты)
Группа изобретений относится к способам имитационного тестирования изделий микро- и наноэлектроники. На приборную структуру воздействуют эквивалентным облучением ионами с флюенсом от 109 см-2 до 1015 см-2 и энергией в интервале 1-500 кэВ, уточняемыми в зависимости от состава и морфологии структуры, при этом уточняемые величины флюенса и энергии ионов, обеспечивающие эквивалентность, определяют рас...
2638107