Солнцев Владимир Павлович (RU)
Изобретатель Солнцев Владимир Павлович (RU) является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия ba2na3 (b3o6)2f
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике. Монокристалл Ba2Na3(В3О6)2F выращивают из высокотемпературного раствора путем снижения температуры раствор-расплава на выт...
2591156Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+x(ВО3)4-yF2+3y, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3y имеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО3)О]4-, устойчивые при ко...
2630511