Амосов В.И. (RU)
Изобретатель Амосов В.И. (RU) является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллов из расплава
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Чохральского для получения объемных профилированных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры. Сущность изобретения: в способе выращивания монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов на затравочный кристалл по методу Чохральского выращивание проводят из нагреват...
2230838Устройство для выращивания профилированных монокристаллов
Изобретение относится к производству монокристаллов, к устройствам для выращивания монокристаллов из расплавов, и может быть использовано для получения профилированных калиброванных объемных монокристаллов, в частности сапфира. Сущность изобретения: устройство для выращивания профилированных монокристаллов на затравочном кристалле включает тигель для расплава, нагреватель и размещенный в...
2230839Способ оценки проходимости отдельных участков слезоотводящего аппарата
Изобретение относится к медицине, а именно к сцинтиграфическим исследованиям в офтальмологии и может быть использовано для оценки проходимости отдельных участков слезоотводящего аппарата. Осуществляют дакриосцинтиграфию, включающую инстиляцию в конъюнктивальную полость водного раствора радиофармацевтического препарата, визуальный и количественный анализ дакриосцинтиграммы. При этом количе...
2234247Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
Изобретение может быть использовано в технологии выращивания кристаллов, например, сапфира. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов включает двухсекционную камеру, затравкодержатель, закрепленный на штоке, тигель, тепловой узел с нагревателем, собранным из изогнутых по форме тигля U-образных ламелей, центрирующее кольцо, на котором закреплены замкнутые части ламелей, водоох...
2261296Способ выращивания монокристаллов из расплава методом амосова
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из расплавов на затравочный кристалл и может быть использовано для выращивания монокристаллов различного химического состава, например, типа А2В6 и А3В5, а также монокристаллов тугоплавких оксидов, например, сапфира. Сущность изобретения: в способе получения монокристаллов выращиванием из расплава, включающем расплавление исходного мате...
2261297Высокотемпературный электронагреватель сопротивления
Изобретение относится к области высокотемпературной нагревательной техники и может быть использовано в установках выращивания монокристаллов из расплавов с выпуклой формой фронта кристаллизации. В высокотемпературном электронагревателе сопротивления, выполненном в виде сборных ламелей из прутков тугоплавких металлов и сплавов, образующих нагревательную камеру с отверстием в дне, и концами ламелей,...
2262214