Тэгай В.А.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к измерению удельного сопротивления эпитаксиальных слоев. Целью изобретения является повышение точности при измерении эпитаксиальных слоев на проводящих изотипных подложках. В способе градуировки, включающем измерение напряжения на выходе резонансного датчика для монокристаллических полупроводниковых образцов, аттестованных по...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность. Сущность изобретения: в способе градуировки резонансного датчик...