Фоминский Михаил Юрьевич (RU)
Изобретатель Фоминский Михаил Юрьевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами
Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию, проявление; селективное химическое или ионное травление трехслойной структуры, после стравливания трехслой...
2593647Криогенный перестраиваемый генератор гетеродина субтерагерцового диапазона для интегральных приёмных систем
Использование: для приема и генерации излучения в диапазоне частот 100 ГГц - 1 ТГц. Сущность изобретения заключается в том, что криогенный перестраиваемый генератор гетеродина субтерагерцового диапазона для интегральных приемных систем на основе РДП, изготовленный на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона которой выполнена шероховатой с размерами неоднородностей, сои...
2638964