Нагирная Дарья Владимировна (RU)
Изобретатель Нагирная Дарья Владимировна (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами
Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию, проявление; селективное химическое или ионное травление трехслойной структуры, после стравливания трехслой...
2593647