Иткинсон Г.В. (RU)

 Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение квантовой эффективности AlGaInN-светодиода и упрощение его монтажа на коммутационную плату. Светоизлучающий диод включает подложку, эпитаксиальную гетероструктуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N, (0х1, 0у1) с р-n-перехо...

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (АIIIN). Техническим результатом изобретения является повышение выходной оптической мощности и КПД светоизлучающего диода. Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в светоизлучающем диоде, включающем рас...