Жмакин А.И. (RU)
Изобретатель Жмакин А.И. (RU) является автором следующих патентов:

Светоизлучающий диод
Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение квантовой эффективности AlGaInN-светодиода и упрощение его монтажа на коммутационную плату. Светоизлучающий диод включает подложку, эпитаксиальную гетероструктуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N, (0х1, 0у1) с р-n-перехо...
2231171