Люблин Валерий Всеволодович (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано при изготовлении кремниевых одно- или многослойных структур, используемых в технологии силовых приборов современной микроэлектроники. Сущность изобретения состоит в том, что при формировании эпитаксиальной структуры ограничение эффекта автолегирования происходит за счет последовательного формирования...

Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических параметров полупроводниковых монокристаллических пластин, автоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур, а также структур типа полупроводника на изоляторе. Устройство содержит два электролитических зонда, у которых каждый корпус представлен в виде полой прозрачной трубки из диэлектрического материала, с одного конца которой з...