Иванов Антон Иванович (RU)
Изобретатель Иванов Антон Иванович (RU) является автором следующих патентов:
Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (ртд) на основе многослойных algaas (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур
Использование: для определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (РТД) на основе многослойных AlGaAs (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур заключ...
2606174