Бажинов А.Н. (RU)

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: при наращивании сверхтонких слоев предварительный запуск смеси газа носителя и легирующей компоненты ведут в одну стадию, при концентрации легирующей компоненты в газовой смеси, в 15-30 раз превышающей заданную, наращивание сверхтонкого слоя ведут толщиной, равной 1-2 толщины области приповерхностной сегрегации легирующ...

Изобретение относится к технике измерений. Термочувствительный слой элемента выполнен из нитрида титана толщиной 0,003-0,015 мкм. Внутри мембраны над термочувствительным слоем и отделенным от него диэлектрическим слоем мембраны выполнен слой, поглощающий инфракрасное излучение. На лицевой стороне подложки выполнен слой, отражающий инфракрасное излучение, при этом расстояние между термочувствительн...