РИУ Жан-Кристоф (FR)

Изобретение относится к датчику давления из полупроводникового материала, содержащему корпус (1), образующий камеру (2) под вторичным вакуумом, по меньшей мере один резонатор (3), расположенный в камере и подвешенный при помощи гибких перекладин (4) по меньшей мере к одной упругодеформирующейся диафрагме (3), закрывающей камеру, которая содержит также средства (7, 12) возбуждения резонатора, заста...