КХАН Танвеер (US)
Изобретатель КХАН Танвеер (US) является автором следующих патентов:
Узел сопла решетки, реактор с псевдоожиженным слоем с узлом сопла решетки и способы использования узла сопла решетки
Изобретение относится к области энергетики. Узел (18) сопла решетки, пригодный для установки в реакционной камере реактора с псевдоожиженным слоем, содержит горизонтально проходящую нижнюю пластину (14), газовую камеру повышенного давления под нижней пластиной и вертикальные газовые трубы (20), имеющие диаметр отверстия, верхний конец (26), и проходящие от газовой камеры повышенного давления вверх...
2633323