Мяконьких Андрей Валерьевич (RU)

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию поверхностных зарядовых состояний. Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения пленок изолирующих д...