ФАМ Дуи Ву (DE)

Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы. Указанная композиция может быть использована для изготовления электронных компонентов и для получения слоя, наносимого на подложку с последующей термической конверсией. Технический результат: получение слоев с необ...

Изобретение относится к соединению алкоксида индия, которое получено путем реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=С1С10-алкил, в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия, в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=С1С10-алкил. Также предложены способ получения алкоксида индия и его применение. Соединение алко...

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку. Транзистор дополнительно содержит (i) несущий инжекционный слой (103), расположенный выше изолирующего слоя (102) затвора, (ii) слой (104) электрода истока/с...