Клименченко Дмитрий Иванович (RU)
Изобретатель Клименченко Дмитрий Иванович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием](https://img.patentdb.ru/i/200x200/cd145fedbabdb6d75d56c7fd376b1d34.jpg)
Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием
Изобретение относится к технологии получения монокристаллических материалов для лазерной техники, предназначенных для модуляции добротности лазерного излучения (пассивным лазерным затворам - ПЛЗ). Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием (АИГ:V), заключается в выращивании кристалла методом вертикальной направленной кристаллизации в молибденовом тигле в восстановительной а...
2641828