Руденко В.Н. (RU)
Изобретатель Руденко В.Н. (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения адгезионной присадки к битумам
Изобретение относится к технологии строительных материалов, например материалов, используемых при строительстве дорог (дорожные одежды, ремонт дорог). Задача изобретения – повышение эффективности действия присадки за счет улучшения адгезионных свойств присадки. Присадку получают путем совмещения кислотного компонента – жирных кислот или флотогудрона с основным компонентом - полиэтиленполи...
2233298Силовой ключ на мдп-транзисторе
Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности и КПД. Технический результат достигается выполнением трансформатора (ТР) (5) с дополнительными отводами (13), (14), образующими две дополнительные обмотки относительно крайних выводов, причем каждый отвод (13) и (14) через резистор (11) и...
2257668Силовой ключ на мдп-транзисторе
Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе (10), содержащий транзисторы (Т) (1, 2), между базами которых включен резистор (Р) (9), а базо-эмиттерные переходы зашунтированы диодами (3, 4) в...
2262187Силовой ключ на мдп-транзисторе
Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности, КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается введением в трансформатор (5) дополнительной обмотки, крайние выводы которой подключены к базам транзисторов (1 и 2), эмиттеры которых соединены и через резистор (9) подключены...
2262799Силовой ключ на мдп-транзисторе
Изобретение относится к импульсной технике для использования в безконтактных коммутационных устройствах. Технический результат заключается в повышении надежности, КПД и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе (11), содержащий транзисторы (Т) (1, 2), базо-эмиттерные переходы которых зашунтированы резисторами (5, 6), а коллектор-эмиттер - диод...
2263393