Видякин Святослав Игоревич (RU)

Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, зародышевый слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока, зародышевый слой выполнен на основе...

Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, канальный слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока, буферный слой выполнен на основе нитр...

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в устройствах преобразования постоянного тока одного уровня в постоянный ток другого уровня, в частности в источниках электропитания. Технический результат заключается в фазовой автоподстройке ширины импульса за счет введения обратной связи по контурному току для обеспечения нулевого сдвига по фазе между циркулирующим в кон...

Изобретение может использоваться в устройствах для преобразования постоянного тока одного уровня в постоянный ток другого уровня, в частности в источниках электропитания. Способ широтно-импульсного регулирования выходного напряжения резонансного преобразователя заключается в том, что поддерживают заданный уровень напряжения на нагрузке резонансного преобразователя, для чего измеряют величину напря...