Полухин Иван Сергеевич (RU)

Использование: микроэлектроника, технология полупроводниковых излучающих приборов, для изготовления меза-структуры полосковых лазеров. Сущность изобретения: способ включает формирование омического контакта к приконтактному слою p-типа проводимости лазерной гетероструктуры методом взрывной фотолитографии, усиление омического контакта локальным гальваническим осаждением, формирование меза-структуры...