Лазаренко Александра Анатольевна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния. Гетероструктуры GaPAsN светодиода и фотоприемника на подложке Si согласно ихобретению содержат зародышевый слой GaP, сформированный последовательным осаждением монослоев галлия, Ga, и фосфора, Р, на кремниев...