Володин Алексей Витальевич (RU)

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность изобретения. Известен полупроводниковый кристалл, содержащий подложку p-типа с расположенным на ней эпитак...