Данилов Олег Анатольевич (RU)

Изобретение относится к силовым полупроводниковым модулям и может использоваться в преобразовательной технике. Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля, содержащий электроизоляционную теплопроводящую подложку с токоведущим слоем, имеющим силовые полигоны: первый DC+ и АС, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, образующие плечи полумоста; три...