PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Емельянов В.А. (RU)

Изобретатель Емельянов В.А. (RU) является автором следующих патентов:

Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов

Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов

 Использование: обеспечение качества и надежности партий полупроводниковых приборов за счет определения потенциально нестабильных приборов как на этапе производства, так и применения. Сущность: на представительной выборке полупроводниковых приборов одного типа проводят измерение шума до и после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) допустимого по техническим условиям потенциала. За...

2234104

Способ определения потенциально ненадежных транзисторов

Способ определения потенциально ненадежных транзисторов

 Использование: обеспечение качества и надежности партий транзисторов за счет определения потенциальных ненадежных приборов, как на этапе производства, так и применения. Сущность: на представительной выборке транзисторов одного типа проводят измерения шума переходов эмиттер-база и коллектор-база на постоянном токе. По разности значений интенсивности шумов переходов Э-Б и К-Б судят о надежн...

2234163

Способ получения концентрата родия, палладия и рутения из азотнокислых растворов

Способ получения концентрата родия, палладия и рутения из азотнокислых растворов

 Изобретение относится к области гидрометаллургии платиновых металлов, в частности к получению концентратов редких платиновых металлов и палладия, и может быть использовано для выделения платиновых металлов из шламов электролитического рафинирования меди и никеля, извлечения осколочных платиноидов из азотнокислых растворов переработки отработанного ядерного топлива, переработки отработанны...

2239666

Способ разделения биполярных транзисторов по стабильности обратных токов

Способ разделения биполярных транзисторов по стабильности обратных токов

 Способ предназначен для разбраковки партии биполярных транзисторов по стабильности обратных токов (токов утечки) как на этапе производства, так и на этапе их применения. Проводят контроль начального значения обратного тока. Затем проводят испытание транзистора тремя циклами электростатических разрядов. Измеряют значение обратного тока после воздействия электростатического разряда. Проводя...

2242018

Способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых изделий

Способ выравнивания надежности при отбраковке полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает определение партий с пониженным процентом выхода годных изделий после проведения каждой из контрольных операций. При этом проводят выявление доминирующего вида брака у изделий данной партии, определяют объем дополнительных отбраковочных испытаний и проводят 100-процентные дополнительные отбраковочные испытания. После проведения дополнительн...

2247402


Способ отбраковки ненадежных маломощных транзисторов

Способ отбраковки ненадежных маломощных транзисторов

Использование: изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность: способ отбраковки ненадежных маломощных транзисторов, вклю...

2247403

Способ разбраковки полупроводниковых приборов

Способ разбраковки полупроводниковых приборов

Использование: изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов и может быть использовано для их разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения: проводится измерение низкочастотного шума полупроводниковых приборов при двух значениях...

2251759

Способ разбраковки полупроводниковых приборов

Способ разбраковки полупроводниковых приборов

Использование: в микроэлектронике, в области испытаний и контроля полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на испытуемой выборке полупроводниковых приборов измеряют шум-фактор на значениях тока до 1 мА, строят ампер-шумовые характеристики для максимальных и минимальных значений, определяют значение тока, при котором разброс ампер-шумовых характеристик наибольший, подсчитывают среднее знач...

2253168