СИМООКА Томохиро (JP)
Изобретатель СИМООКА Томохиро (JP) является автором следующих патентов:
Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства
Нитридный полупроводниковый элемент содержит сапфировую подложку, содержащую: основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющую удлиненную форму на виде в плане; и слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подл...
2663684