PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СИМООКА Томохиро (JP)

Изобретатель СИМООКА Томохиро (JP) является автором следующих патентов:

Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства

Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства

Нитридный полупроводниковый элемент содержит сапфировую подложку, содержащую: основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющую удлиненную форму на виде в плане; и слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подл...

2663684