ЯНГ Хайтао (CN)
Изобретатель ЯНГ Хайтао (CN) является автором следующих патентов:

Система и способ очистки и получения порошка высокочистого пентоксида ванадия
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Пентоксид ванадия промышленной категории превращают в окситрихлорид ванадия низкотемпературным хлорированием в псевдоожиженном слое. При этом хлорирующий газ предварительно нагревают посредством теплообмена между псевдоожижающим газом и дымовым газом хлорирования и добавляют воздух. Окситрихлорид ванадия подвергают очистке ректификац...
2665520