Приходько Дмитрий Дмитриевич (RU)

Изобретение относится к способу изготовления сверхтонких полупроводниковых структур с потенциальным барьером, способных генерировать полезную электрическую энергию под действием ионизирующего излучения. Из алмаза типа IIb изготавливают подложку толщиной от 100 до 1000 мкм, на одной из сторон алмазной подложки формируют жертвенный слой и остаточный слой посредством имплантации ионов с энергией не м...