PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ДЗУНГ Чул (KR)

Изобретатель ДЗУНГ Чул (KR) является автором следующих патентов:

Способ изготовления устройства полупроводниковой памяти (варианты) и устройство полупроводниковой памяти

Способ изготовления устройства полупроводниковой памяти (варианты) и устройство полупроводниковой памяти

 Изобретение относится к способу изготовления устройства полупроводниковой памяти, которое является стойким к окислению разрядных шин. Предотвращающий окисление слой, такой как слой нитрида, формируют на разрядных шинах или в контактных отверстиях, чтобы исключить диффузию кислорода в структуру разрядной шины. 4 н. и 23 з.п. ф-лы, 13 ил.Область техникиНастоящее изобретение относится к спос...

2234763