Денисенко Ю.И. (RU)

 Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. Технический результат изобретения – упрощение технологического процесса при одновременном повышении надежности функционирования МДП приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП транзистора с локальными участками захороненного изолятора на поверхности подложки из кре...